岗位职责（择一相关即可）
1、沟槽型SiC MOSFET设计及工艺技术开发，超结型SiC电力电子器件设计及工艺技术开发；
2、高功率密度SiC功率模块设计及工艺技术开发，SiC功率集成芯片及电路设计及工艺技术开发；
3、SiC器件高密度集成模块设计，开展基于高集成度SiC模块的应用设计。
任职要求
1.博士学历；
2.微电子学与固体电子学、电子科学与技术、半导体材料与物理等相关专业；
3.具有良好的团队协作意识和较强的沟通表达能力。