岗位职责（择一相关即可）
方向1：GaN材料外延工程师，负责材料结构设计与外延关键技术研究；
方向2：MEMS传感器设计师，负责陀螺仪结构设计技术、器件成品率提升技术等；
方向3：电源模块设计师，负责高功率密度电源关键工程技术攻关，包括方案论证、拓扑架构设计与器件选型等；
方向4：数字光模块设计师，负责高速数字光模块的总体方案设计、关键技术研发等；
方向5：SiC器件设计师，开展超结型、双极性SiC高压高功率密度器件前沿技术研究与开发；
方向6：宽禁带功率器件设计师，开展新型氧化物、氧化物、金刚石功率半导体器件及集成电路前沿技术研究与开发；

任职要求：
1.博士学历；
2.应届或往届毕业生均可，在本领域具有丰富的科研经验者优先。