岗位职责 (研究方向择一相关即可)：
1-1.人工智能方向:开展半导体工艺建模或辅助电路设计及智能体开发。
1-2.开展SiC功率器件前沿技术研究与开发。
1-3.开展新型功率半导体器件及集成电路前沿技术研究与开发。
1-4.开展基于宽禁带半导体功率器件的高效高功率密度电源管理、电机驱动等技术研究与开发。
1-5.光计算方向:开展光电集成芯片核心器件的设计、仿真、测试与优化。
1-6.开展不同材料体系异质集成工艺研发与优化，相关技术应用拓展和产品开发。
1-7.外延方向：开展MOCVD外延关键工艺技术、测试表征和结构设计。
1-8.探测方向：开展智能探测系统设计、算法研发、模型仿真技术迭代优化。
1-9.开展GaN功率开关器件结构设计、仿真验证与优化。
1-10.模型方向：开展射频芯片产品的行为级模型构建，推进 IP 模型改进。
1-11.系统架构方向：开展光芯片/模块或微波芯片/模组的顶层功能划分与系统级仿真验证、前沿技术跟踪与产品规划。
1-12.开展射频芯片产品的需求对接、指标分解、电路仿真与验证。
1-13.其他主责主业相关方向。

任职要求：
1.博士学历；
2.电磁场与微波技术、微电子学与固体电子学、电路与系统、电子信息、电力电子与电力传动、光电工程、材料科学与技术等相关专业；
3.具有良好的团队协作意识和较强的沟通表达能力，积极踏实、认真负责；
4.应届或往届毕业生均可，在本领域具有丰富的科研/工程经验者优先。