海威华芯成立于2010年，位于成都市双流区，规划占地225亩。在高端芯片自主可控的迫切需求下，公司建成国内大陆首条6吋化合物半导体生产线，可提供6吋第二代砷化镓、第三代氮化镓半导体集成电路晶圆高端代工（Foundry）服务，拥有完备技术团队与先进化合物半导体制造工艺及生产设备。
依托砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）领域技术积累与产能实力，公司多项化合物体半导制程技术国内领先，大尺寸碳化硅基氮化镓晶圆制造达到先进水平。主营砷化镓、氮化镓、碳化硅晶圆及相关器件，产品在5G基站、光通信、功率电子等领域位居国内前列，为补齐国内芯片制造短板，保障国防军工产业安全、支撑电子对抗装备芯片供应作出重要贡献。
经过长期研发攻关，公司完成第二代砷化镓、第三代氮化镓集成电路6大工艺制程开发，实现千余款芯片产品量产，与多家重点装备单位建立供货合作。面向民用市场，开发5G基站芯片制程技术，和主流通信设备厂商开展项目合作。
未来，海威华芯将持续攻坚化合物半导体制造关键技术，破解高端芯片“卡脖子”难题，实现高可靠、低成本国产化替代，补齐批量制造能力短板，打破国外技术封锁，搭建国内芯片制造公共服务平台，规避信息泄露风险，实现安全自主制造。
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