浙江先导微电子科技有限公司项目总投资110亿元,占地面积约1000亩,分两期建设。一期总投资约90亿元,占地面积约838亩。
一期分为高新和东港两个片区,高新片区建设集成电路关键材料基地项目,项目总投资约65亿元,占地面积约557亩,主要生产MO源、硅基前驱体材料、电子特气、特气、电子材料、高纯材料、MBE源、半导体材料氧化硼等标准产线。产品广泛应用于半导体、集成电路、新能源、光伏、无人驾驶、高端显示、航空航天等高新技术产业。
东港片区建设新一代半导体材料及器件生产基地项目,项目总投资约25亿元占地面积约281亩,主要建设射频功率放大器、光模块、惯性导航系统器件、金刚石衬底、氮化硼坩埚等产品标准产线。产品广泛应用于半导体、集成电路、数据通信、万物互联、无人驾驶、智慧城市、航空航天等战略新型领域。