2026-05-01 更新
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功率模块产品工程师 3-5万

南京·江宁区在校/应届博士校园招1人

职位已下线

职位描述

职位描述:
1、负责SiC MOSFET功率模块的产品设计,包括模块结构设计、电气特性优化和热管理设计;
2、与工艺团队合作,支持SiC MOSFET功率模块的工艺开发,优化封装工艺和材料选择,确保产品性能达标;
3、制定并执行SiC MOSFET功率模块的测试方案,分析测试数据,验证产品的性能和可靠性;
4、对产品在生产和应用过程中出现的故障进行分析,提出改进措施并推动实施;
5、编写产品设计、测试和应用相关的技术文档,包括产品规格书、应用指南和测试报告;
6、为客户提供SiC MOSFET功率模块的技术支持,解答技术问题,协助客户解决应用中的难题;
7、收集客户和市场对产品的反馈,与技术开发团队沟通,推动产品迭代和优化;
8、与研发、工艺、测试、销售等部门紧密合作,确保产品从开发到量产各环节的顺利进行;
9、跟踪SiC MOSFET功率模块领域的最新技术发展,进行技术调研和创新,提升公司产品的竞争力。
任职要求:
1、电子工程、电气工程、材料科学等相关专业。
2、具备扎实的电力电子、半导体器件和功率模块设计基础,熟悉SiC MOSFET功率模块的工作原理和设计方法。
3、5年以上功率模块设计或产品工程经验,有SiC MOSFET功率模块开发经验者优先。
4、熟练掌握功率模块设计和仿真工具(如ANSYS、COMSOL等)。
5、熟悉目前常见的功率模块封装工艺和材料特性,具备工艺支持和优化的能力。
6、具备良好的数据分析能力,能够使用相关软件进行数据分析和处理。
7、具备较强的项目管理能力,能够有效管理项目进度和资源。
8、具备良好的沟通能力和团队合作精神,能够与各部门有效协作。
9、具备较强的学习能力和创新意识,能够不断学习和掌握新技术。
10、具备良好的英语读写能力,能够阅读和撰写英文技术文档。
11、具备较强的责任心和抗压能力,能够在高强度工作环境下保持高效工作。

公司简介

南京第三代半导体技术创新中心有限公司成立于2022年。作为国家第三代半导体创新中心(南京)的运营主体,公司以第三代半导体关键技术研发为己任,充分利用创新中心的资源,具体实施创新中心赋予或下达的关键核心技术研发任务,并积极争取包括社会资本、纵向科研项目以及其它各渠道资源投入,实现第三代半导体前沿技术、共性技术、重大瓶颈等关键核心技术的自主可控,推动产学研协同发展,推动第三代半导体技术、产品、应用等科研成果的转化,实现全产业链健康发展。

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所属行业:半导体/芯片

企业规模:20-99人

企业性质:国企

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